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領(lǐng)全球之先大功率量產(chǎn)化深紫外LED芯片投產(chǎn)
發(fā)布時間 2019-06-06 09:20:49 來源：中經(jīng)縱橫
5月30日，中科潞安深紫外LED項目投產(chǎn)儀式在中科潞安紫外光電科技有限公司舉行。該項目的投產(chǎn)，標志著全球首條大功率量產(chǎn)化深紫外LED芯片生產(chǎn)線問世。
潞安集團黨委副書記、總經(jīng)理劉俊義在致辭中說，深紫外LED是潞安重點培育的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)。在深紫外LED領(lǐng)域，潞安集團堅持早布局、重研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化的基本思路，與中科院半導體所、長治市人民政府“三方共建”，成功搭建了中科潞安半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院這一開發(fā)設(shè)計平臺和中科潞安深紫外科技公司這一產(chǎn)業(yè)化推廣平臺。今明兩年，潞安將努力把中科潞安研究院打造成為國家級創(chuàng)新平臺；同時，在深紫外LED芯片一期項目工程達產(chǎn)達效的基礎(chǔ)上，加快推進二期年產(chǎn)3億顆深紫外LED外延芯片生產(chǎn)線的建設(shè)，適時啟動長治紫外光電產(chǎn)業(yè)園區(qū)建設(shè)，力爭把長治打造成為全國乃至全球深紫外LED產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，為山西省高質(zhì)量轉(zhuǎn)型發(fā)展闖出一條新路。
中國科學院半導體研究所副所長楊富華和第三代半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長、國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長吳玲也在致辭中表示，希望中科潞安深紫外LED項目以科技創(chuàng)新為動力，搶占深紫外LED領(lǐng)域的至高點。還要積極布局，推進關(guān)鍵技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化以及我國氮化物LED的發(fā)展，開啟未來萬億級產(chǎn)值的半導體深紫外市場，形成全球領(lǐng)先的深紫外光源技術(shù)及產(chǎn)品。
據(jù)中科潞安紫外光電科技有限公司董事長李晉閩介紹，2018年12月27日，中科潞安深紫外LED項目完成核心建設(shè)，實現(xiàn)聯(lián)合試運轉(zhuǎn)。經(jīng)過5個月的調(diào)試和工藝驗證，項目生產(chǎn)線設(shè)備狀態(tài)良好，生產(chǎn)能力穩(wěn)步提升，最終順利投產(chǎn)。（記者 閆俊榮）
轉(zhuǎn)自：中國化工報
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